一、引言
近年來，隨著半導體工業的發展以及高速光電信息時代的來臨，LPE、VPE等技術在半導體業生產中的作用越來越�。籑BE與MOCVD技術相比，由于其設備復雜、價格更昂貴，生長速度慢，且不適pC-長含有高蒸汽壓元素(如P)的化合物單晶，不宜于工業生產。而金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD)，1968年由美國洛克威公司的Manasevit等人提出制備化臺物單晶薄膜的一項新技術；到80年代初得以實用化。經過近20年的飛速發展，成為目前半導體化臺物材料制備的關鍵技術之一。廣泛應用于包括半導體器件、光學器件、氣敏元件、超導薄膜材料、鐵電／鐵磁薄膜、高介電材料等多種薄膜材料的制備。
二、MOCVD的主要技術特點 國內外所制造的MOCVD設備，大多采用氣態源的輸送方式，進行薄膜的制備。氣態源MOCVD設備，將MO源以氣態的方式輸送到反應室，輸送管道里輸送的是氣體，對送入反應室的MO源流量也以控制氣體流量來進行控制。因此，它對MO源先體提出應具備蒸氣壓高、熱穩定性佳的要求。用氣態源MOCVD法沉積一些功能金屬氧化物薄膜，要求所選用的金屬有機物應在高的蒸氣壓下具有高的分子穩定性，以避免輸送過程中的分解。然而，由于一些功能金屬氧化物的組分復雜，元素難以合成出氣態MO源和有較高蒸氣壓的液態MO源物質，而蒸氣壓低、熱穩定性差的MO源先體，不可能通過鼓泡器(bubbler)由載氣氣體輸運到反應室。 然而采用液態源輸送的方法，是目前國內外研究的重要方向。采用將液態源送入汽化室得到氣態源物質，再經過流量控制送入反應室，或者直接向反應室注入液態先體，在反應室內汽化、沉積。這種方式的優點是簡化了源輸送方式，對源材料的要求降低，便于實現多種薄膜的交替沉積以獲得超品格結構等。
三、MOCVD技術的優缺點 MOCVD技術在薄膜晶體生長中具有獨特優勢：
1、能在較低的溫度下制備高純度的薄膜材料，減少了材料的熱缺陷和本征雜質含量；
2、能達到原子級精度控制薄膜的厚度；
3、采用質量流量計易于控制化合物的`組分和摻雜量；
4、通過氣源的快速無死區切換，可靈活改變反應物的種類或比例，達到薄膜生長界面成份突變。實現界面陡峭；
5、能大面積、均勻、高重復性地完成薄膜生長。適用于工業化生產；正是MOCVD這些優勢(與MBE技術一起)。使化合物單晶薄膜的生長向結構區域選擇的微細化，組分多元化和膜厚的超薄化方向發展，推進著各種異質結材料應運而生，實現了生長出的半導體化合物材料表面平滑、摻雜均勻、界面陡峭、晶格完整、尺寸精確，滿足了新型微波、毫米波半導體器和先進的光電子器的要求，使微波、毫米波器件和先進的光電子器件的設計和制造由傳統的“摻雜工程”進人到“能帶工程”和“電子特性與光學特性裁剪”的新時代。人們已經能夠在原子尺度上設計材料的結構參數，從而人為確定材料的能帶結構和波涵數，制備出量子微結構材料。 但MOCVD設備也有自身的缺點，它與MBE設備一樣價格不菲，而且由于采用了有機金屬做為源，使得在使用MOCVD設備時不可避免地對人體及環境產生一定的危害。這些都無形中增加了制備成本。對于低壓生氏，系統只需要配置機械泵和壓力控制器就可控制生長壓力；但是所配置的泵要有較大的氣體流量承載量。MOCVD生長中，我們所用的許多反應源(例如PH3、AsH3、H2S以及一些MO源)都是有毒的物品，進行合理的尾氣循環處理是非常必要的。因此，在設計和使用時要考慮到這些因素，做好安全防護措。對于一些功能金屬氧化物薄膜而言，尋找高蒸氣壓、
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