1.研究論文及簡報的基本格式參照本刊1993年（15卷）第1一2期。
2.植物材料應附正確的拉丁學名、產地、數量和制備方法。
3.化學結構圖須另頁繪制，基團標注無誤，在文稿內注明插圖位置。常見化合物的結構不必給出。表插人文中適當位置，圖表應附相應的英文。
4.參考文獻按出現的先后順序在文中注明，著錄格式見本刊“征稿簡則”，其中，英文期刊名的縮寫參照CA,但不加點，不可隨意縮寫，如：Phytochem(正確為Phytochemistry)，Tetra(正確為Tetrahedron)。
5.實驗部分必須簡明扼要，但要使實驗化學家能夠據此重復出該實驗，可以省略的一些實驗細節:（1>常規衍生物(如乙酰化物)的制備方法；(2)化合物分離的`細節，如裝柱，TLC板，柱子及分餾的大小等；(3)儀器（不包括型號）及化學試劑的商業來源。
6.新化合物采用IUPAC命名規則給出一個完整的系統名，若有必要可再取一個得體的俗名。文中化合物第一次出現時若注有編號，下文均以編號代表。
7.每個化合物盡可能標出得率，如：化合物3(510mg；0.0031%)。結晶須指明所用溶劑，如：白色針晶（MeOH),熔點的表示法，如：mp259—261°C。液體化合物的折射率表示法，如ngl.653?
8.元素分析表示法，如：已知化合物(Found:C,62.9;H,5.4.Calc,forC13H)3ON4：C,62.9;H,5.3%)。新化合物(Found:C,62.9；H,5.4.C13H13ON4requires：C,62.9；H,5.3%)。
9.比旋度的表示法：[a]??測定值°(所用溶劑；c指100ml溶劑里化合物的克數)，如[a]2D3+32.2°(EtOHiC0.32-10).
旋光每散譜(ORD)可用一系列不同波長下的[a]值或分子比旋[0]值表示。
園二色散譜（CD)可用分子橢率值如[0]256+21780，[0]307-16113或微分子色散吸收值如Ae253-1.02(MeOH；c0.164)表示。
10.NMR表示為4NMR或13CNMR,須注明儀器的頻率，溶劑及內標物。化學位移以<5值(對TMS)表示，注明峰形，如:單峰(s),寬單峰(brs)，雙峰(d),雙二重峰(dd)，復峰(m)等。l3CNMR及1HNMR數所須注明所對應的碳和氫的位置，采用IUPAC定位，標為C-l，C-2;H-l，H-2。例如：I3CNMR(21.15Mz,CDC13)：<530.l(t,C-5),74.1(d,C-6),121.3(d,C-3),144.2(s,C-4).'HNMR(100MHz,CDC13)：<50.681(3H,S,H-18),0.884(6H,d,J=6.0Hz,H-26andH-27),0.901(3H,d,J=5.0Hz,H-21),4.342(1H,q,J6a,7a=4.5Hz,J6a,7^=2.0Hz,H-6),4.211(1H，m,Wl/2=18.0Hz,H-3a)?所用儀器頻率及溶劑若在實驗部分的總論中已注明，則以下皆可省略。
11.質譜須注明所用的方法，如(EIMS,CIMS,GC-MS,FABMS等)及離解能，只須給出分子離f-峰及重要的特征碎片峰（相對強度），如：EIMS(70eVm/z(%)：386[M+](36)，368[M-H20]+(100),275[M-111]+(35)等。髙分辯質譜(HRMS)若有必要可多給一些信息。
12.紫外光譜表示法，如UV/CGxHnm(lge):203(4.17)。
13.紅外光譜表示法，如IRC=0)?若要標明吸收帶的強度,則采用以下縮寫符號:w(弱)，m(中等)，v(可變)，s(強)，vs(很強)。
14.有機化合物和無機化合物及有關的縮寫符號須規范化(參考CA)，如氘代溶劑CDC13,DMSO-d5,D20,pyridine-d5等。常見化學試劑在文中均以化學符號表示，如：MeOH,EtOH,n-BuOH,PrOH,iso-PrOH,PhOH(苯酚)，petrol(石油醚)，CHC13,CC14,C6C6,Et20,Me2CO,HOAc,EtOAc,THF,Ac20.NaOMe,CH2N2,HC02H(甲酸)，TCA(三氣乙酸)，TFA(三氟乙酸)，NaOAc,NaOH,HC1,H,S04,CO,,H,B03.nh3,N2等。
15.制備薄層析須注明(1)薄層厚度;⑵樣品的量;(3)確定帶的方法;⑷從吸附劑上洗脫下化合物所用的溶劑。特殊TLC的吸附劑須注明，如:AgN03-硅膠(1:9)。
16.氣相色譜(GC)須注明檢測器(FID，EC等)，載氣及流速，操作溫度，柱子情況等。
17.高壓液相(HPLC)須注明(1)柱子情況，如大小、型號；(2)壓力及溶劑；(3)檢測方法，如UV或折射率。
18.X-衍射只須給出立體結構圖(最好有鍵長)及必要的數據，詳細記錄可指明在什么地方儲存。
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