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實驗報告芯片解剖實驗報告

2020-10-09 報告

  課程名稱:芯片解剖實驗

  學 號:

  姓 名:

  教 師:

  年6月28日

  實驗一 去塑膠芯片的封裝

  實驗時間: 同組人員:

  一、實驗目的

  1.了解集成電路封裝知識,集成電路封裝類型。

  2.了解集成電路工藝流程。

  3.掌握化學去封裝的方法。

  二、實驗儀器設備

  1:燒杯,鑷子,電爐。

  2:發煙硝酸,弄硫酸,芯片。

  3:超純水等其他設備。

  三、實驗原理和內容

  實驗原理:

  1..傳統封裝:塑料封裝、陶瓷封裝

  (1)塑料封裝(環氧樹脂聚合物)

  雙列直插 DIP、單列直插 SIP、雙列表面安裝式封裝 SOP、四邊形扁平封裝 QFP 具有J型管腳的塑料電極芯片載體PLCC、小外形J引線塑料封裝 SOJ

  (2)陶瓷封裝

  具有氣密性好,高可靠性或者大功率

  A.耐熔陶瓷(三氧化二鋁和適當玻璃漿料):針柵陣列 PGA、陶瓷扁平封裝 FPG

  B.薄層陶瓷:無引線陶瓷封裝 LCCC

  2..集成電路工藝

  (1)標準雙極性工藝

  (2)CMOS工藝

  (3)BiCMOS工藝

  3.去封裝

  1.陶瓷封裝

  一般用刀片劃開。

  2. 塑料封裝

  化學方法腐蝕,沸煮。

  (1)發煙硝酸 煮(小火) 20~30分鐘

  (2)濃硫酸 沸煮 30~50分鐘

  實驗內容:

  四、實驗步驟

  1.打開抽風柜電源,打開抽風柜。

  2.將要去封裝的芯片(去掉引腳)放入有柄石英燒杯中。

  3.帶上塑膠手套,在藥品臺上去濃硝酸。向石英燒杯中注入適量濃硝酸。(操作時一定注意安全)

  4.將石英燒杯放到電爐上加熱,記錄加熱時間。(注意:火不要太大)

  5.觀察燒杯中的變化,并做好記錄。

  6.取出去封裝的芯片并清洗芯片,在顯微鏡下觀察腐蝕效果。

  7.等完成腐蝕后,對廢液進行處理。

  五、實驗數據

  1:開始放入芯片,煮大約2分鐘,發煙硝酸即與塑膠封轉起反應,

  此時溶液顏色開始變黑。

  2:繼續煮芯片,發現塑膠封裝開始大量溶解,溶液顏色變渾濁。

  3:大約二十五分鐘,芯片塑膠部分已經基本去除。

  4:取下燒杯,看到閃亮的芯片伴有反光,此時芯片塑膠已經基本去除。

  六、結果及分析

  1:加熱芯片前要事先用鉗子把芯片的金屬引腳去除,因為此時如果不去除,它會與酸反應,消耗酸液。

  2:在芯片去塑膠封裝的時候,加熱一定要小火加熱,因為發煙鹽酸是易揮發物質,如果采用大火加熱,其中的酸累物質變會分解揮發,引起容易濃度變低,進而可能照成芯片去封裝不完全,或者去封裝速度較慢的情況。

  3:通過實驗,了解了去塑膠封裝的基本方法,和去封裝的一般步驟。

  實驗二 金屬層芯片拍照

  實驗時間: 同組人員:

  一、實驗目的

  1.學習芯片拍照的方法。

  2.掌握拍照主要操作。

  3. 能夠正確使用顯微鏡和電動平臺

  二、實驗儀器設備

  1:去封裝后的芯片

  2:芯片圖像采集電子顯微鏡和電動平臺

  3:實驗用PC,和圖像采集軟件。

  三、實驗原理和內容

  1:實驗原理

  根據芯片工藝尺寸,選擇適當的`放大倍數,用帶CCD攝像頭的顯微鏡對芯片進行拍照。以行列式對芯片進行圖像采集。注意調平芯片,注意拍照時的清晰度。2:實驗內容

  采集去封裝后金屬層照片。

  四、實驗步驟

  1.打開拍照電腦、顯微鏡、電動平臺。

  2.將載物臺粗調焦旋鈕逆時針旋轉到底(即載物臺最低),小心取下載物臺四英寸硅片平方在桌上,用塑料鑷子小心翼翼的將裸片放到硅片靠中心的位置上,將硅片放到載物臺。

  3.小心移動硅片盡量將芯片平整。

  4.打開拍照軟件,建立新拍照任務,選擇適當倍數,并調整到顯示圖像。(此處選擇20倍物鏡,即拍200倍照片)

  5.將顯微鏡物鏡旋轉到最低倍5X,慢慢載物臺粗調整旋鈕使載物臺慢慢上升,直到有模糊圖像,這時需要小心調整載物臺位置,直至看到圖像最清晰。

  6.觀察圖像,將芯片調平(方法認真聽取指導老師講解)。

  10.觀測整體效果,觀察是否有嚴重錯位現象。如果有嚴重錯位,要進行重拍。

  11.保存圖像,關閉拍照工程。

  12.將顯微鏡物鏡順時針跳到最低倍(即: 5X)。

  13.逆時針旋轉粗調焦旋鈕,使載物臺下降到最低。

  14.用手柄調節載物臺,到居中位置。

  15.關閉顯微鏡、電動平臺和PC機。

  五、實驗數據

  采集后的芯片金屬層圖片如下:

  六、結果及分析

  1:實驗掌握了芯片金屬層拍照的方法,電動平臺和電子顯微鏡的使用,熟悉了圖像采集軟件的使用方法。

  2:在拍攝金屬層圖像時,每拍完一行照片要進行檢查,因為芯片有余曝光和聚焦的差異,可能會使某些照片不清晰,對后面的金屬層拼接照成困難。所以拍完一行后要對其進行檢查,對不符合標準的照片進行重新拍照。

  3:拍照是要保證芯片全部在采集視野里,根據四點確定一個四邊形平面,要確定芯片的四個角在采集視野里,就可以保證整個芯片都在采集視野里。

  4:拍照時的倍數選擇要與工程分辨率保持一致,過大或過小會引起芯片在整個視野里的分辨率,不能達到合適的效果,所以采用相同的倍數,保證芯片的在視野圖像大小合適。

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