有關pecvd試驗報告
篇一：設備驗收報告——PECVD
設 備 驗 收 報 告
注：此報告一式兩份，甲方、乙方各存一份。
設備驗收報告附文
一、 驗收依據
1、年月日，甲、乙雙方簽訂的PDT2A-01型管式PECVD鍍膜設備購銷合同。
2、年月日，甲、乙雙方簽訂的PDT2A-01型管式PECVD鍍膜設備驗收細則。
二、 驗收項目
1、爐體溫度穩定性 2、SiH4/NH3流量 3、系統極限壓力 4、系統漏氣率 5、工藝壓力 6、射頻輸出功率 7、單機產能 8、設備穩定性 9、工藝效果驗證
三、 驗收標準、方法
1.
爐體溫度穩定性
檢驗方法：將爐體恒溫區5個點的工藝溫度設為一致，范圍控制在350~500℃之間，保溫維持4小時，根據設定值與溫控表測量出的實際值相比較得出該指標。 驗收標準：5個點的溫度波動值控制在±2℃以內
2、 SiH4/NH3流量
檢驗方法：根據設定值與操作界面顯示值相比較得出該指標。
驗收標準：≤±1%*總量程；SiH4流量允許偏差為±30sccm，NH3流量允許偏差為±70sccm。
3、 系統極限真空度
檢驗方法：工藝溫度下（推薦450℃），正常啟動抽真空流程，觀察限定時間內（這里要求5分鐘內）腔體真空壓力的極限值。
驗收標準：5分鐘內真空壓力降到5Pa以下。
4、 系統漏氣率
檢驗方法：工藝溫度下（推薦450℃），將爐體內壓力用真空泵抽至真空狀態，保壓，點擊屏幕上的“漏氣率檢測”欄，查看1分鐘、5分鐘、24小時內系統的平均漏氣率。 驗收標準：3Pa/min。
5、
工藝壓力
檢驗方法：工藝壓力設定值和實際值之間的偏差。 驗收標準：±5Pa
6、 射頻輸出功率
檢驗方法：設備正常運行過程中，射頻電源輸出功率的波動范圍。 驗收標準：±100W
7、 單機產能
檢驗方法：不考慮裝卸舟操作過程，正常執行標準工藝配方，測算10批的平均工藝節拍。 驗收標準：工藝節拍32min/批，168片/批（125mm硅片）
8、 設備穩定性
檢驗方法：設備進入試用期，穩定批量生產一周，無嚴重故障（指不發生導致生產過程停止的設備故障；排除人為因素）。 驗收標準：設備穩定運行一周。
9、 工藝效果驗證
檢驗方法：正常執行標準工藝配方，隨機抽取3批（舟），每批（舟）插入10片拋光硅片（客戶自購或自制），每片隨機測量5個點，根據150個膜厚、折射率的實測值得出均勻性指標。 片內均勻性的計算方法為：[(Max-Min)/(Max+Min)] *100%（Max為每片5個測量值中膜厚、折射率最大值；Min為每片5個測量值中膜厚、折射率最小值）。
片間均勻性的計算方法為：[(Max-Min)/(Max+Min)] *100%（Max為每批10片中膜厚、折射率平均值的最大值；Min為每批10片膜厚、折射率平均值的最小值）。
批間均勻性的計算方法為：[(Max-Min)/(Max+Min)] *100%（Max為3批中每批膜厚、折射率平均值的最大值；Min為3批中每批膜厚、折射率平均值的最小值）。 測試手段：橢圓偏振儀，拋光硅片。 驗收標準：
膜厚：片內、片間均勻性均小于±5%，批間均勻性小于±4%（以75±5nm為中心值）。 折射率：片內、片間、批間均勻性均小于±3%（以2.05±0.05為中心值）。
四、 驗收結果附表
篇二：半導體工藝實驗報告 【交大】
半導體制造工藝實驗
姓名：章葉滿 班級：電子1001 學號：10214021
一、氧化
E3:25.1:1.
go athena
#TITLE: Oxide Profile Evolution Example
# Substrate mesh definition
line y loc=0 spac=0.05
line y loc=0.6 spac=0.2
line y loc=1
line x loc=-1spac=0.2
line x loc=-0.2 spac=0.05
line x loc=0 spac=0.05
line x loc=1 spac=0.2
init orient=100
# Anisotropic silicon etch
etch silicon left p1.x=-0.218 p1.y=0.3 p2.x=0 p2.y=0
# Pad oxide and nitride mask
deposit oxide thick=0.02 div=1
deposit nitride thick=0.1 div=1
etch nitride left p1.x=0
etch oxideleft p1.x=0
# Field oxidation with structure file output for movie
diffuse tim=90 tem=1000 weto2 dump=1 dump.prefix=anoxex01m
tonyplot -st anoxex01m*.str
structure outfile=anoxex01_0.str
quit
實驗截圖:
實驗分析：
當氧擴散穿越已生長的氧化劑時，它是在各個方向上擴散的。一些氧原子縱向擴散進入硅，另一些氧原子橫向擴散。這意味著在氮化硅掩膜下有著輕微的側面氧化生長。由于氧化層比消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化生長將抬高氮化物的邊緣。這就是LOCOS氧化工藝中的“鳥嘴效應”。這種現象是LOCOS氧化工藝中不受歡迎的副產物。氧化物較厚時，“鳥嘴效應”更顯著。為了減小氮化物掩膜和硅之間的應力，在它們之間熱生長一層薄氧化層—墊氧。或者可以使用淺槽隔離技術來代替LOCOS，這樣就可以避免“鳥嘴效應”。
E3:25.1:2.
go athena
#TITLE: Mixed Ambient Oxidation Example
# This example demonstrates mixed ambient oxidation in 1D
#
foreach gas (2. to 8. step 2.)
#
line x loc=0.0 sp=1.0
line x loc=1.0 sp=1.0
line y loc=0.0 sp=0.05
line y loc=1.0 sp=0.05
initialize
#
diffuse time=60 temperature=1000 f.o2=gas f.h2=20.
structure outfile=anoxex02_gas.str
#
end
tonyplot -st anoxex02*.str
quit
實驗截圖
:
實驗分析：
實驗描述的是當氣流中通過四種不同濃度比的由氧氣、水、氫、氮構成的混合氣體時Si氧化成SiO2的不同程度，其中參數F.O2, F.H2O, F.H2, F.N2是每個氣流中流的氧氣、水、氫、氮的擴散語句。由圖可以看出，不同的氣體比例會得到不同的氧化效果。潮濕的氧化環境水蒸氣在二氧化硅中擴散的更快、溶解度更高，更有利于硅氧化生長速率的加快。而無論是何種程度的氧化，二氧化硅的生長都是要消耗硅的，氧化生長的越多，硅消耗的越多。硅消耗的厚度占氧化物總厚度的0.46。氧化物生長發生在氧分子通過已生成的二氧化硅層運動進入硅片的過程中。
E3:25.1:9. go athena
#TITLE: Orientation dependent Oxidation Example
line y loc=0 spac=0.1
line y loc=4 spac=0.1
line x loc=-1 spac=0.1
line x loc=1 spac=0.1
#
#initialize with orientation of sidewalls along 100 direction init orient=100 rot.sub=0
method gridinit.ox=0.02 grid.ox=0.02
# Anisotropic silicon etch
etch silicon right p1.x=0.0 p1.y=2.0 p2.x=0.0 p2.y=0.0
# Field oxidation
diffuse time=20 tem=1000 wet
#
#
extract name="toxx" thickness oxide mat.occno=1 x.val=0.50 extract name="toxy" thickness oxide mat.occno=1 y.val=1.05
# Save the structure
structure outfile=anoxex09_1.str
line y loc=0 spac=0.1
line y loc=4 spac=0.1
line x loc=-1 spac=0.1
line x loc=1 spac=0.1
#
#initialize with orientation of sidewalls along 110 direction init orient=100 rot.sub=45
# Anisotropic silicon etch
etch silicon right p1.x=0.0 p1.y=2.0 p2.x=0.0 p2.y=0.0
# Field oxidation
diffuse time=20 tem=1000 wet
篇三：(PECVD工序長)
GT-人事-15
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